Prikupljanje sredstava 15. septembra 2024 – 1. oktobra 2024
O prikupljanju novca
pretraga knjiga
knjige
Prikupljanje sredstava:
56.2% dosegnuto
Prijaviti se
Prijaviti se
prijavljenim korisnicima su dostupni:
lične preporuke
Telegram bot
istorija preuzimanja
poslati na Email ili Kindle
upravljanje zbirkama
sačuvanje u izabrano
Lično
Upite za knjige
Proučavanje
Z-Recommend
Spiskovi knjiga
Najpopularnije
Kategorije
Učešće
Donirati
Otpremanja
Litera Library
Donirati papirne knjige
Dodati papirne knjige
Search paper books
Moj LITERA Point
Pretraga ključnih reči
Main
Pretraga ključnih reči
search
1
Мікроелектроніка. Елементи мікроелектроніки. Частина 1
Вища школа
Прищепа М.М.
,
Погребняк В.П.
рис
заряду
області
типу
транзистора
напруги
носіїв
переходу
струм
імс
електронів
силіцію
мдн
умов
струму
каналу
зміщення
провідності
значення
транзисторів
напруга
бази
напівпровідника
концентрація
стоку
база
поверхні
дірок
неосновних
областей
домішки
область
опз
gst
можемо
поля
діода
коефіцієнт
товщина
електричного
мкм
перехід
ємність
оскільки
напругу
фермі
використовують
формулою
si02
основи
Godina:
2004
Jezik:
ukrainian
Fajl:
DJVU, 5.26 MB
Vaši tagovi:
0
/
0
ukrainian, 2004
2
Екситоніка низькорозмірних систем
Шпак А.П.
,
Куницький Ю.А.
,
Смик С.Ю.
поверхні
рис
атомів
силіцію
електронів
станів
енергія
квантових
gaas
шару
зв’язку
напівпровідника
зони
енергії
поверхневих
екситона
фази
електрона
структури
шарів
області
зростання
напівпровідникових
поверхневої
ями
електрони
оскільки
підкладки
властивості
дірки
атоми
екситонів
провідності
квантові
структур
дірок
межі
істотно
відбувається
квантової
поглинання
хрому
взаємодії
значення
поверхнева
силіцій
системи
заряду
скт
спектр
Jezik:
ukrainian
Fajl:
PDF, 2.05 MB
Vaši tagovi:
0
/
0
ukrainian
3
Мікроелектроніка. Елементи мікросхем. Збірник задач. Навчальний посібник
Вища школа
Прищепа М.М.
,
Погребняк В.П.
визначають
струм
області
переходу
типу
транзистора
розраховують
електронів
заряду
виразом
носіїв
формулою
зміщення
коефіцієнт
значення
напруга
дірок
розрахувати
насичення
температури
визначити
неосновних
умов
мкм
опір
конденсатора
база
бази
рис
колектора
домішки
товщина
резистора
концентрація
емітера
обчислюють
відносна
струму
розміри
діода
ємність
концентрації
напруги
довжина
спіралі
витік
колектор
похибка
прямого
силіції
Godina:
2005
Jezik:
ukrainian
Fajl:
DJVU, 2.64 MB
Vaši tagovi:
0
/
0
ukrainian, 2005
4
Хімія. 10 клас. Підручник для загальноосвітніх навчальних закладів
Перун
Буринська Н.М.
,
Величко Л.П.
карбону
речовин
речовини
кислоти
моль
реакції
властивості
сульфуру
сн2
газ
оксид
атомів
рівняння
сн3
s02
аміаку
сполук
солі
кислота
сполуки
утворюється
реакцій
молекули
складу
органічних
вигляді
вугілля
метану
нітрогену
напишіть
газу
натрію
оксиду
природі
фосфор
ї
воді
відбувається
сі
кальцію
хімічні
амонію
використовують
добування
нафти
силіцію
вуглеводнів
с02
сульфатної
водою
Godina:
2004
Jezik:
ukrainian
Fajl:
DJVU, 8.45 MB
Vaši tagovi:
0
/
0
ukrainian, 2004
1
Idite na
ovaj link
ili potražite bota „@BotFather“ u Telegramu
2
Pošaljite komandu /newbot
3
Navedite ime za svog bota
4
Navedite korisničko ime za bota
5
Kopirajte poslednju poruku od BotFather i ubacite je ovde
×
×