Углеродная пленка осажденная мощным ионным пучком

Литературный перевод. Carbon film deposition by powerful ion beams. Elseiver. Surface and Coatings Technology xx (2007) xxx–xxx
Тонкие углеродные пленки могут быть использованы в микроэлектронике, сверхпроводящих устройствах, солнечных батареях, логических и запоминающих устройствах, для увеличения износостойкости инструмента и как магнитный нанокомпозитный материал для хранения информации. В настоящей статье изучены тонкие углеродные пленки осажденные на кремниевую подложку с плазмой сгенерированной мощным ионным пучком(H+—60%, C+—40%, E=500 кэВ, τ=100 нс, плотность энергии=8 Дж/см2) на графитовой мишени. Концентрация sp3-границ кристаллов алмаза, аморфных и кристаллических фаз углерода определялась рентгеноструктурным анализом (РСА). Определено, что концентрация кристаллов алмазной фазы в пленках осажденных при различных условиях не превышает 5%. Реальная концентрация кристаллической фазы углерода (30-95%) и имеет форму C60 и C70 фуллеренов. Показано, что концентрация фуллеренов и отношение между относительным количеством C60 и C70 сильно зависит от плотности графитовой мишени, условий осаждения углеродной пленки и сильнее всего от расстояния между графитовой мишенью и подложкой. Это расстояние определяет скорость осаждения пленки и степень охлаждения плазмы на подложке, что может изменить условия кристаллизации пленки.